Транзисторы

YJL2302A

MMBTA42

Корпус SOT23, Транзистор биполярный NPN, Р=350 мВт, Uкэ.макс. 300 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 500 мВ, Ток коллектора 20 мА, Граничная частота 50 МГц, Коэффициент усиления по току, min 40, Коэффициент усиления по току, max 300

BC807-16

YJL03N06A

Транзистор N-MOSFET 60В 3А [SOT-23-3]

BC807-40W

Корпус SOT323, Транзистор биполярный PNP, Р=200 мВт, Uкэ.макс. -45 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии -0.7 В, Ток коллектора -0.5 А, Граничная частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 250, Коэффициент усиления по току, max 600

2N7002W

BC848B

MMBT2222A

YJS12G10A

Корпус SOIC8, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 100 В, Iс ном. при 25°C 12 А, Rот.(мин) 14.5 мОм, Rот.при Uз(ном), min 14.5 мОм, диап. Uз мин. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 16 нКл, Р=3.1 Вт, Сз=1 135пФ

2N7002DW

Корпус SOT363, Транзистор MOSFET 2N-канальный, Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 340 мА, Rот.(мин) 1.2 Ом, Rот.при Uз(ном), min 1.2 Ом, Rот.при Uз(ном), max 1.3 Ом, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 30 В, Qз 1.6 нКл, Р=150 мВт, Сз=27.5пФ

MMBTA42G-AE3-R

UTM6016G-SO8-R

WG40N65DFWQ

WG40N65DFJQ

BUJ302A,127

PHD13003C,412

2N6059

2N2222

2N6051

2N6058

BUX80

2N6547

Транзистор: NPN; биполярный; 400В; 15А; 175Вт; TO3

2N2907A

2N2907