Одиночные стабилитроны

BZT52C62S

BZT52C4V7S

Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 4.7 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 80 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 4.7V V(Z), 6.38%, 0.2W, Silicon, Unidirectional

BZT52C3V3S

Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 3.3 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 95 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 3.3V V(Z), 6.06%, 0.2W, Silicon, Unidirectional

BZT52C20S

Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 20 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 55 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 20V V(Z), 6%, 0.2W, Silicon, Unidirectional

BZT52C12S

Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 12 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 25 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 12V V(Z), 5.39%, 0.2W, Silicon, Unidirectional

BZT52B36

Стабилитрон 36В 0.5Вт [SOD-123]

BZT52B2V4S

Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 2.4 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 100 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 2.4V V(Z), 2.5%, 0.2W, Silicon, Unidirectional

BZT52B18S

Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 18 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 50 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 18V V(Z), 2.22%, 0.2W, Silicon, Unidirectional

BZT52B13S

Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 13 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 25 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 13V V(Z), 2.15%, 0.2W, Silicon, Unidirectional

1N5347B

Стабилитрон 5Вт 10В

SMA5927A

SMA5922A

MMSZ5223B

BZX84C75

Корпус SOT23, Напряжение стабилизации 75 В, Ток стабилизации (макс) 2 мА, Импеданс (макс) 255 Ом

BZX84B9V1

Корпус SOT23, Напряжение стабилизации 9.1 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 15 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 9.1V V(Z), 1.98%, 0.35W, Silicon, Unidirectional

BZX84B20

Корпус SOT23, Напряжение стабилизации 20 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 55 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 20V V(Z), 2%, 0.35W, Silicon, Unidirectional

BZX84B12

BZX584C6V8

Корпус SOD523, Напряжение стабилизации 6.8 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 15 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 6.8V V(Z), 5.88%, 0.2W, Silicon, Unidirectional

BZX584C3V0

Корпус SOD523, Напряжение стабилизации 3 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 100 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 3V V(Z), 6.67%, 0.2W, Silicon, Unidirectional

BZX584C2V4

Стабилитрон 0.2Вт 2.4В Корпус SOD523, Напряжение стабилизации 2.4 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 100 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 2.4V V(Z), 8.33%, 0.2W, Silicon, Unidirectional

BZX584C16V

Корпус SOD523, Напряжение стабилизации 16 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 40 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 16V V(Z), 5.56%, 0.2W, Silicon, Unidirectional

BZX584B7V5

Корпус SOD523, Напряжение стабилизации 7.5 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 15 Ом

BZX584B4V7

Корпус SOD523, Напряжение стабилизации 4.7 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 80 Ом

BZX584B22V