Одиночные стабилитроны

BZT52B11S

BZX84B24

Корпус SOT23, Напряжение стабилизации 24 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 70 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 24V V(Z), 2.04%, 0.35W, Silicon, Unidirectional

BZT52C6V8S

Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 6.8 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 15 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 6.8V V(Z), 5.88%, 0.2W, Silicon, Unidirectional

BZT52C27S

Стабилитрон 27В 0.3Вт [SOD-323]

BZT52B5V6S

BZT52B24

Корпус SOD123, Напряжение стабилизации 24 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 24V V(Z), 2.04%, 0.5W, Silicon, Unidirectional

BZX84C56

BZX84B13

Корпус SOT23, Напряжение стабилизации 13 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 30 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 13V V(Z), 2.15%, 0.35W, Silicon, Unidirectional

BZX584C30V

Корпус SOD523, Напряжение стабилизации 30 В, Ток стабилизации (макс) 2 мА, Импеданс (макс) 80 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 30V V(Z), 6.67%, 0.2W, Silicon, Unidirectional

BZX584B6V8

Стабилитрон 0.2Вт 6.8В

BZX584B12V

Корпус SOD523, Напряжение стабилизации 12 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 25 Ом

BZT52C5V1S

Стабилитрон 0.2Вт 5.1В

BZT52C15S

BZT52B6V2S

Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 6.2 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 10 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 6.2V V(Z), 1.94%, 0.2W, Silicon, Unidirectional

BZT52B4V3

BZT52B15S

Стабилитрон 0.2Вт 15В

BZX84B7V5

Корпус SOT23, Напряжение стабилизации 7.5 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 15 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 7.5V V(Z), 2%, 0.35W, Silicon, Unidirectional

BZX84B30

BZX584C9V1

Корпус SOD523, Напряжение стабилизации 9.1 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 15 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 9.1V V(Z), 6.08%, 0.2W, Silicon, Unidirectional

BZX584C3V3

Корпус SOD523, Напряжение стабилизации 3.3 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 95 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 3.3V V(Z), 6.06%, 0.2W, Silicon, Unidirectional

BZX584C22V

BZX584B5V1

Корпус SOD523, Напряжение стабилизации 5.1 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 60 Ом

BZX584B20V

Корпус SOD523, Напряжение стабилизации 20 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 55 Ом

BZT52C9V1S

Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 9.1 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 15 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 9.1V V(Z), 6.08%, 0.2W, Silicon, Unidirectional