Под заказ
DTC143EE
Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 4.7 кОм+4.7 кОм
Категория
Найдено 297 товаров
Под заказ
Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 4.7 кОм+4.7 кОм
Под заказ
Под заказ
Под заказ
Корпус SOT23, Транзистор биполярный NPN, Р=200 мВт, Uкэ.макс. 50 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 30, Встроенное Rб 4.7 кОм, Встроенное Rбэ 9.87 кОм, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Под заказ
Корпус SOT323, Транзистор биполярный NPN, Р=200 мВт, Uкэ.макс. 50 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 80, Встроенное сопротивление в базовой цепи 2.2 кОм, Встроенное сопротивление в цепи БЭ 46.2 кОм
Под заказ
Корпус SOT523, Транзистор биполярный NPN, Р=150 мВт, Uкэ.макс. 50 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 30, Встроенное Rб 10 кОм, Встроенное Rбэ 10 кОм, Примечание Small Signal Bipolar Transistor
Под заказ
Под заказ
Под заказ
Под заказ
Под заказ
Под заказ
Корпус SOT323, Транзистор биполярный NPN, Р=200 мВт, Uкэ.макс. 50 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 30, Встроенное сопротивление в базовой цепи 4.7 кОм, Встроенное сопротивление в цепи БЭ 9.87 кОм
Под заказ
Под заказ
Под заказ
Под заказ
Под заказ
Под заказ
Корпус SOT23, Транзистор биполярный NPN, Р=200 мВт, Uкэ.макс. 50 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 20, Встроенное Rб 4.7 кОм, Встроенное Rбэ 4.7 кОм, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Под заказ
Корпус SOT23, Транзистор биполярный NPN, Р=200 мВт, Uкэ.макс. 50 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 80, Встроенное Rб 4.7 кОм, Встроенное Rбэ 47 кОм, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Биполярный транзистор: NPN; BRT; 50В; 0,1А; 200мВт; SOT23; R1: 10кОм
Под заказ
Под заказ