Одиночные биполярные транзисторы

BC857CT

Корпус SOT523, Транзистор биполярный PNP, Р=150 мВт, Uкэ.макс. -45 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии -0.65 В, Ток коллектора -0.1 А, Граничная частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 420, Коэффициент усиления по току, max 800

PBSS5240T

BC856A

PMMT591A

BC857AW

MMST3904

Корпус SOT323, Транзистор биполярный NPN, Р=200 мВт, Uкэ.макс. 40 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 300 мВ, Ток коллектора 50 мА, Граничная частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 100, Коэффициент усиления по току, max 300

BCX55

BC856S

Корпус SOT363, Транзистор биполярный PNP+PNP, Р=200 мВт, Напряжение КЭ максимальное -65 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии -0.3 В, Ток коллектора -0.01 А, Граничная рабочая частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 110

BC849C

BC807-25W

Корпус SOT323, Транзистор биполярный PNP, Р=200 мВт, Uкэ.макс. -45 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии -0.7 В, Ток коллектора -0.5 А, Граничная частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 160, Коэффициент усиления по току, max 400

2SC4081-R

Корпус SOT323, Транзистор биполярный NPN, Р=200 мВт, Uкэ.макс. 50 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 400 мВ, Ток коллектора 50 мА, Граничная частота 180 МГц, Коэффициент усиления по току, min 180, Коэффициент усиления по току, max 390

BUT11A

Биполярный транзистор, NPN, 450 В, 5 А, 100 Вт

LBC807-40WT1G

LMBT3904LT1G

LMBT5401LT1G

LMBT2907ALT1G

LMBT5551LT1G

LBC807-25LT1G

LBC807-40LT1G

LBC857CLT1G

LBC857BLT1G

LBC817-40LT1G

BD139

Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 1.5 А, 8 Вт

BC847BS