Диоды и тиристоры

BZT52C20SQ

Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 20 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 55 Ом

BZX84C7V5

BZX84C43

BZX84C8V2

BZX84C47

BZX84B10

Корпус SOT23, Напряжение стабилизации 10 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 20 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 10V V(Z), 2%, 0.35W, Silicon, Unidirectional

MUR560F

Корпус ITO220AC, Диод одиночный, Uобр.макс. 600 В, Iпрям. (сред.) 5 А, Uпрям. 1.45 В, Особенности Ultra Fast, Iобр. 5 мкА, Время восстановления Диодов 25 нс, Емкость перехода 20пФ, Рабочая температура -55 °C...+175 °C, Монтаж на плату, THT

GBPC3510W

Корпус GBPCW, Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 1 кВ, Uпрям. 1.1 В, Iпрям. (средн) 35 А, Примечание Rectifier Diode, Рабочая температура -55 °C...+150 °C

GBPC1508

MT570C16DT6

BZX84B11

Корпус SOT23, Напряжение стабилизации 11 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 20 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 11V V(Z), 2%, 0.35W, Silicon, Unidirectional

BZX84C30

Корпус SOT23, Напряжение стабилизации 30 В, Ток стабилизации (макс) 2 мА, Импеданс (макс) 80 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 30V V(Z), 6.67%, 0.35W, Silicon, Unidirectional

BZX84C2V7

Корпус SOT23, Напряжение стабилизации 2.7 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 100 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 2.7V V(Z), 7.41%, 0.35W, Silicon, Unidirectional

BZX84C39

BZX84C13

Корпус SOT23, Напряжение стабилизации 13 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 30 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 13V V(Z), 6.42%, 0.35W, Silicon, Unidirectional

BAT46WT-06

Корпус SOT323, Сборка диодная, Uобр.макс. 100 В, Iпрям. (сред.) 150 мА, Uпрям. 1 В, Iобр. 2 мкА, Монтаж на плату, SMT

BAS70

Корпус SOT23, Диод одиночный, Uобр.макс. 70 В, Iпрям. (сред.) 70 мА, Uпрям. 410 мВ, Особенности Шоттки, Iобр. 200 нА, Время восстановления Диодов 5 нс, Рабочая температура -55 °C, Рабочая температура 125 °C, Монтаж на плату, SMT

MURS120B

Корпус DO214AA, Диод одиночный, Uобр.макс. 200 В, Iпрям. (сред.) 1 А, Uпрям. 920 мВ, Особенности Super Fast, Iобр. 5 мкА, Время восстановления Диодов 25 нс, Емкость перехода 17пФ, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Монтаж на плату, SMT

BZT52B39

GBU806

Корпус GBU, Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 600 В, Uпрям. 1 В, Iпрям. (средн) 8 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3.2A, 600V V(RRM), Silicon, Рабочая температура -55 °C...+150 °C

GBPC1506W

GBPC1506

Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 600 В, Uпрям. 1.1 В, Iпрям. (средн) 15 А, Примечание Rectifier Diode, Рабочая температура -55 °C...+150 °C

BZT52B5V1

Корпус SOD123, Напряжение стабилизации 5.1 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 5.1V V(Z), 1.96%, 0.5W, Silicon, Unidirectional

BZT52C2V7

Корпус SOD123, Напряжение стабилизации 2.7 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 100 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 2.7V V(Z), 7.41%, 0.5W, Silicon, Unidirectional