Диоды и тиристоры

BZX584B15V

Корпус SOD523, Напряжение стабилизации 15 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 30 Ом

BZT52C6V2S

Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 6.2 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 10 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 6.2V V(Z), 6.45%, 0.2W, Silicon, Unidirectional

BZT52C5V6S

Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 5.6 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 40 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 5.6V V(Z), 7.14%, 0.2W, Silicon, Unidirectional

BZT52C3V6S

Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 3.6 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 90 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 3.6V V(Z), 5.56%, 0.2W, Silicon, Unidirectional

BZT52C24S

Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 24 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 70 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 24V V(Z), 5.79%, 0.2W, Silicon, Unidirectional

BZT52C18S

Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 18 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 45 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 18V V(Z), 6.41%, 0.2W, Silicon, Unidirectional

BZT52C13S

Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 13 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 30 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 13V V(Z), 6.42%, 0.2W, Silicon, Unidirectional

BZT52C11S

BZT52B5V1S

Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 5.1 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 60 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 5.1V V(Z), 1.96%, 0.2W, Silicon, Unidirectional

BZT52B4V7S

Стабилитрон 4.7В 0.2Вт SOD-323

BZT52B3V3

Корпус SOD123, Напряжение стабилизации 3.3 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 95 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 3.3V V(Z), 2.73%, 0.5W, Silicon, Unidirectional

BZT52B20S

BZT52B16S

BZT52B15

Корпус SOD123, Напряжение стабилизации 15 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 15V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional

BZT52B12

Корпус SOD123, Напряжение стабилизации 12 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 20 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 12V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional

BZT52B11

BAV23C

Корпус SOT23, Сборка диодная, общий катод, Uобр.макс. 250 В, Iпрям. (сред.) 200 мА, Uпрям. 1 В, Iобр. 100 нА, Время восстановления Диодов 50 нс, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Монтаж на плату, SMT

BAV199WT

Диод выпрямительный сборка 100В 160мА

BAS716

Корпус SOD523, Диод одиночный, Uобр.макс. 75 В, Iпрям. (сред.) 200 мА, Uпрям. 1.25 В, Iобр. 5 нА, Время восстановления Диодов 3 мкс, Рабочая температура 150 °C, Монтаж на плату, SMT

BAS416

BAS16WT

Корпус SOT323, Диод одиночный, Uобр.макс. 100 В, Iпрям. (сред.) 150 мА, Uпрям. 1.25 В, Iобр. 2.5 мкА, Время восстановления Диодов 4 нс, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Монтаж на плату, SMT

B5818WS

Корпус SOD323, Диод одиночный, Uобр.макс. 30 В, Iпрям. (сред.) 1 А, Uпрям. 550 мВ, Особенности Шоттки, Iобр. 40 мкА, Рабочая температура -65 °C, Рабочая температура 125 °C, Монтаж на плату, SMT

B0530WS

Корпус SOD323, Диод одиночный, Uобр.макс. 30 В, Iпрям. (сред.) 500 мА, Uпрям. 550 мВ, Особенности Шоттки, Iобр. 100 мкА, Рабочая температура -55 °C, Рабочая температура 125 °C, Монтаж на плату, SMT

VS-12F10

Диод выпрямительный общего применения 100В 12А