Биполярные транзисторы

UMD3N

MMST3904

Корпус SOT323, Транзистор биполярный NPN, Р=200 мВт, Uкэ.макс. 40 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 300 мВ, Ток коллектора 50 мА, Граничная частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 100, Коэффициент усиления по току, max 300

DTC144EUA

DTC143XUA

Корпус SOT323, Транзистор биполярный NPN, Р=200 мВт, Uкэ.макс. 50 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 30, Встроенное сопротивление в базовой цепи 4.7 кОм, Встроенное сопротивление в цепи БЭ 9.87 кОм

DTC143EUA

Транзистор: NPN, биполярный, BRT, 50В, 0,1А, 200мВт, SOT323

DTC123JCA

DTC114YCA

Транзистор цифровой биполярный NPN 200мВт

DTA143ZUA

DTA123ECA

DTA114ECA

BCX55

BC856S

Корпус SOT363, Транзистор биполярный PNP+PNP, Р=200 мВт, Напряжение КЭ максимальное -65 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии -0.3 В, Ток коллектора -0.01 А, Граничная рабочая частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 110

BC849C

BC817DPN

BC807-25W

Корпус SOT323, Транзистор биполярный PNP, Р=200 мВт, Uкэ.макс. -45 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии -0.7 В, Ток коллектора -0.5 А, Граничная частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 160, Коэффициент усиления по току, max 400

2SC4081-R

Корпус SOT323, Транзистор биполярный NPN, Р=200 мВт, Uкэ.макс. 50 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 400 мВ, Ток коллектора 50 мА, Граничная частота 180 МГц, Коэффициент усиления по току, min 180, Коэффициент усиления по току, max 390

BUT11A

Биполярный транзистор, NPN, 450 В, 5 А, 100 Вт

BFU580GX

РЧ Транзистор биполярный NPN wideband silicon RF transistor

LBC847BDW1T1G

LBC807-40WT1G

LMBT3904LT1G

LMBT5401LT1G

LBC857BDW1T1G

Биполярный транзистор сборка PNP/PNP, -45 В, -0.1 А

LMBT2907ALT1G