Биполярные транзисторы

2N5401

Транзистор биполярный PNP 150В 0.6A TO-92

2SC5566-TD-E

Транзистор биполярный общего применения NPN 100В 4А 1300мВт 4-Pin(3+Tab) SOT-89 лента на катушке

BC846AW

DTC144ECA

DDTA123YCA

BC857CT

Корпус SOT523, Транзистор биполярный PNP, Р=150 мВт, Uкэ.макс. -45 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии -0.65 В, Ток коллектора -0.1 А, Граничная частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 420, Коэффициент усиления по току, max 800

UMH11N

PBSS5240T

DTC143EE

Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 4.7 кОм+4.7 кОм

DTA143ZCA

Транзистор: PNP

DTA114EUA

Транзистор: PNP

BC856A

UMH9N

Корпус SOT363, Транзистор биполярный NPN/NPN, Р=150 мВт, Uкэ.макс. 50 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 68, Встроенное сопротивление в базовой цепи 10 кОм, Встроенное сопротивление в цепи БЭ 47 кОм

UMD9N

UMD10N

PMMT591A

DTC143XCA

Корпус SOT23, Транзистор биполярный NPN, Р=200 мВт, Uкэ.макс. 50 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 30, Встроенное Rб 4.7 кОм, Встроенное Rбэ 9.87 кОм, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

DTC123JUA

Корпус SOT323, Транзистор биполярный NPN, Р=200 мВт, Uкэ.макс. 50 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 80, Встроенное сопротивление в базовой цепи 2.2 кОм, Встроенное сопротивление в цепи БЭ 46.2 кОм

DTC114EE

Корпус SOT523, Транзистор биполярный NPN, Р=150 мВт, Uкэ.макс. 50 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 30, Встроенное Rб 10 кОм, Встроенное Rбэ 10 кОм, Примечание Small Signal Bipolar Transistor

DTA124EUA

DTA113ZCA

BC857AW

BC847PN

UMH10N