Транзисторы

WMK030N06LG4

BC857CT

Корпус SOT523, Транзистор биполярный PNP, Р=150 мВт, Uкэ.макс. -45 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии -0.65 В, Ток коллектора -0.1 А, Граничная частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 420, Коэффициент усиления по току, max 800

UMH11N

DTA143ZCA

Транзистор: PNP

UMH9N

Корпус SOT363, Транзистор биполярный NPN/NPN, Р=150 мВт, Uкэ.макс. 50 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 68, Встроенное сопротивление в базовой цепи 10 кОм, Встроенное сопротивление в цепи БЭ 47 кОм

DTC143XCA

Корпус SOT23, Транзистор биполярный NPN, Р=200 мВт, Uкэ.макс. 50 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 30, Встроенное Rб 4.7 кОм, Встроенное Rбэ 9.87 кОм, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

DTC123JUA

Корпус SOT323, Транзистор биполярный NPN, Р=200 мВт, Uкэ.макс. 50 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 80, Встроенное сопротивление в базовой цепи 2.2 кОм, Встроенное сопротивление в цепи БЭ 46.2 кОм

DTC144EUA

DTC143XUA

Корпус SOT323, Транзистор биполярный NPN, Р=200 мВт, Uкэ.макс. 50 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 30, Встроенное сопротивление в базовой цепи 4.7 кОм, Встроенное сопротивление в цепи БЭ 9.87 кОм

DTA143ZUA

FDN338P

Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2.8А

BTS5120-2EKA

Сборка из полевых транзисторов 2N-канальный, 12В, 8А

WM03DP50A

code: 4953

WM02P26M

code: 2301B

WMS09DP03T1

Сборка из 2-х полевых транзисторов MOSFET P-канальные напряжение сток-исток 30В, ток стока 9A

DTC143ZCA

Корпус SOT23, Транзистор биполярный NPN, Р=200 мВт, Uкэ.макс. 50 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 80, Встроенное Rб 4.7 кОм, Встроенное Rбэ 47 кОм, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

DTC114ECA

Биполярный транзистор: NPN; BRT; 50В; 0,1А; 200мВт; SOT23; R1: 10кОм

BUT11A

Биполярный транзистор, NPN, 450 В, 5 А, 100 Вт

TIM1200ASM45-PSA011

IGBT модуль 4500В 1200 А 189*140мм Single Switch

SVT078R0ND

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 68В 88A

TIM2400NSM17-TSA000

IGBT модуль 1700В 2400 А 129*139мм Single Switch

TIM1200DDM17-TSA000

IGBT модуль 1700В 1200 А 130*140мм Dual Switch

SEMIX453GB12E4S

DFI600HF17I4RE1

IGBT Модуль 1700В, 600А