Категория
Транзисторы
Найдено 12 199 товаров
Подкатегории
3Разделы каталога
33
Под заказ
YJL3400A
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 5.6A SOT-23
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
BSR316PH6327XTSA1
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 0.36A автомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке
Одиночные MOSFET транзисторыIRFP460PBF-VB
Транзистор полевой MOSFET N-канальный
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
YJD120N04A
Корпус TO252, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 40 В, Iс ном. при 25°C 120 А, Rот.(мин) 2.8 мОм, Rот.при Uз(ном), min 2.8 мОм, Rот.при Uз(ном), max 4 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 102 нКл, Р=110 Вт, Сз=4 645пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Под заказ
Под заказ
GD150HFX170C2S
Модуль транзисторный IGBT 1700В 280А
Силовые модули IGBTBC857C
Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А, 0.25 Вт
Одиночные биполярные транзисторы
Под заказ
BC856BW
Корпус SOT323, Транзистор биполярный PNP, Р=200 мВт, Uкэ.макс. -65 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии -0.65 В, Ток коллектора -0.1 А, Граничная частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 220, Коэффициент усиления по току, max 475
Одиночные биполярные транзисторы
Под заказ
GD75PIX120C6S
Модуль силовой трехфазный IGBT 1200В 75А
Силовые модули IGBT
Под заказ
WMO10N100C2
Транзистор полевой MOSFET N-канальный напряжение сток-исток 1000В, ток стока 5.5А
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Под заказ
IMZA120R014M1HXKSA1
Транзистор полевой MOSFET SIC N-канальный 1200В 127A 4-Pin(4+Tab) TO-247 туба
Транзисторы на основе карбида кремния (SiC)SKM150GB17E4G
Силовой модуль IGBT полумостовой 242А
Силовые модули IGBT
Под заказ
SKM150GB176E4
Силовой модуль IGBT N-канальный 1700В 100А
Силовые модули IGBT