Под заказ
AO4884
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 40 В, 10 А
Сборки MOSFET транзисторовКатегория
Найдено 12 206 товаров
Под заказ
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 40 В, 10 А
Сборки MOSFET транзисторовТранзистор полевой MOSFET N-канальный
Одиночные MOSFET транзисторыБиполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.1 А, 10 Вт
Одиночные биполярные транзисторы
Под заказ
Корпус TO252, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 40 В, Iс ном. при 25°C 120 А, Rот.(мин) 2.8 мОм, Rот.при Uз(ном), min 2.8 мОм, Rот.при Uз(ном), max 4 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 102 нКл, Р=110 Вт, Сз=4 645пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Под заказ
Под заказ
Модуль транзисторный IGBT 1700В 280А
Силовые модули IGBTБиполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А, 0.25 Вт
Одиночные биполярные транзисторы
Под заказ
Корпус SOT323, Транзистор биполярный PNP, Р=200 мВт, Uкэ.макс. -65 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии -0.65 В, Ток коллектора -0.1 А, Граничная частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 220, Коэффициент усиления по току, max 475
Одиночные биполярные транзисторы
Под заказ
Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 100 В, Iс ном. при 25°C 40 А, Rот.(мин) 14 мОм, Rот.при Uз(ном), min 14 мОм, Rот.при Uз(ном), max 17 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 16 нКл, Р=60 Вт, Сз=1 051пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Транзистор полевой MOSFET N-канальный напряжение сток-исток 1000В, ток стока 5.5А
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Под заказ
Транзистор полевой MOSFET SIC N-канальный 1200В 127A 4-Pin(4+Tab) TO-247 туба
Транзисторы на основе карбида кремния (SiC)Транзистор полевой MOSFET N-канальный радиочастотный 17В 4-Pin(4+Tab) H2M туба
Радиочастотные (RF FET) транзисторыТранзистор полевой MOSFET N-канальный радиочастотный 17В 4-Pin(4+Tab) H2M туба
Радиочастотные (RF FET) транзисторы
Под заказ
Trans GP BJT PNP 200V 2A 3000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Одиночные биполярные транзисторы