ChipBaza
Получить коммерческое предложение
Проверим наличие
перед счётом

Категория

Транзисторы

Найдено 12 206 товаров

Все категории

Подкатегории

3
IGBT (БТИЗ) транзисторы 807 Биполярные транзисторы 4 091 Полевые транзисторы 7 308
Все доступные товары
MMBTA42 Под заказ
YangJie MOQ 1

MMBTA42

Корпус SOT23, Транзистор биполярный NPN, Р=350 мВт, Uкэ.макс. 300 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 500 мВ, Ток коллектора 20 мА, Граничная частота 50 МГц, Коэффициент усиления по току, min 40, Коэффициент усиления по току, max 300

Одиночные биполярные транзисторы
Цена с НДС 4,76 ₽
BC807-40W Под заказ
YangJie MOQ 1

BC807-40W

Корпус SOT323, Транзистор биполярный PNP, Р=200 мВт, Uкэ.макс. -45 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии -0.7 В, Ток коллектора -0.5 А, Граничная частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 250, Коэффициент усиления по току, max 600

Одиночные биполярные транзисторы
Цена с НДС 4,91 ₽
YJL3404AQ Под заказ
YangJie MOQ 1

YJL3404AQ

Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 30 В, Iс ном. при 25°C 5.6 А, Rот.(мин) 21 мОм, Rот.при Uз(ном), min 21 мОм, Rот.при Uз(ном), max 27 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 12.22 нКл, Р=1.2 Вт, Сз=526пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 11,73 ₽
BCP56-16Q Под заказ
YangJie MOQ 1

BCP56-16Q

Корпус SOT223, Транзистор биполярный NPN, Р=1.5 Вт, Uкэ.макс. 80 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 500 мВ, Ток коллектора 1 А, Граничная частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 100, Коэффициент усиления по току, max 250

Одиночные биполярные транзисторы
Цена с НДС 10,91 ₽
2N7002KCW Под заказ
YangJie MOQ 1

2N7002KCW

Корпус SOT323, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 300 мА, Rот.(мин) 1.9 Ом, Rот.при Uз(ном), min 1.9 Ом, Rот.при Uз(ном), max 2 Ом, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 1.65 нКл, Р=300 мВт, Сз=27пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 3,09 ₽
YJL05N06AL Под заказ
YangJie MOQ 1

YJL05N06AL

Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 5 А, Rот.(мин) 35 мОм, Rот.при Uз(ном), min 35 мОм, Rот.при Uз(ном), max 39 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 26.4 нКл, Р=2.5 Вт, Сз=1 018пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 10,48 ₽
YJL3401AQ Под заказ
YangJie MOQ 1

YJL3401AQ

Транзистор MOSFET Р-кан., Uс-и макс. -30 В, Iс ном. при 25°C -4.4 А, Rот.(мин) 45.5 мОм, Rот.при Uз(ном), min 45.5 мОм, Rот.при Uз(ном), max 64 мОм, диап. Uз мин. -2.5 В, диап. Uз макс. -10 В, Uз макс. 12 В, Qз 18 нКл, Р=-1.2 Вт, Сз=1 040пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 7,18 ₽
2N7002KC Под заказ
YangJie MOQ 1

2N7002KC

Корпус SOT23, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 300 мА, Rот.(мин) 1.9 Ом, Rот.при Uз(ном), min 1.9 Ом, Rот.при Uз(ном), max 2 Ом, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 1.22 нКл, Р=300 мВт, Сз=21пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 2,40 ₽
YJL3407AQ Под заказ
YangJie MOQ 1

YJL3407AQ

Транзистор MOSFET Р-кан., Uс-и макс. -30 В, Iс ном. при 25°C -4.1 А, Rот.(мин) 36 мОм, Rот.при Uз(ном), min 36 мОм, Rот.при Uз(ном), max 52 мОм, диап. Uз мин. -4.5 В, диап. Uз макс. -10 В, Uз макс. 20 В, Qз 11.65 нКл, Р=1.2 Вт, Сз=572пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 7,65 ₽
2N7002KCQ Под заказ
YangJie MOQ 1

2N7002KCQ

Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 300 мА, Rот.(мин) 1.9 Ом, Rот.при Uз(ном), min 1.9 Ом, Rот.при Uз(ном), max 2 Ом, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 1.65 нКл, Р=300 мВт, Сз=27пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 4,70 ₽
BSS84W Под заказ
YangJie MOQ 1

BSS84W

Корпус SOT323, Транзистор MOSFET Р-кан., Uс-и макс. -60 В, Iс ном. при 25°C -0.17 А, Rот.(мин) 3.3 Ом, Rот.при Uз(ном), min 3.3 Ом, Rот.при Uз(ном), max 3.5 Ом, диап. Uз мин. -4.5 В, диап. Uз макс. -10 В, Uз макс. 20 В, Qз 1.77 нКл, Р=150 мВт, Сз=43пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 3,44 ₽