ChipBaza
Получить коммерческое предложение
Проверим наличие
перед счётом

Категория

Полевые транзисторы

Найдено 7 308 товаров

Все категории

Подкатегории

6
Одиночные MOSFET транзисторы 6 475 Радиочастотные (RF FET) транзисторы 63 Сборки MOSFET транзисторов 560 Силовые MOSFET модули 22 Транзисторы на основе карбида кремния (SiC) 126 Транзисторы управляемые p-n переходом 62
Все доступные товары
YJS4438A Под заказ
YangJie MOQ 1

YJS4438A

Корпус SOIC8, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 8.2 А, Rот.(мин) 14.5 мОм, Rот.при Uз(ном), min 14.5 мОм, Rот.при Uз(ном), max 17 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 51 нКл, Р=3.1 Вт, Сз=2 027пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 20,26 ₽
YJL2312AL Под заказ
YangJie MOQ 1

YJL2312AL

Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 20 В, Iс ном. при 25°C 7.6 А, Rот.(мин) 12 мОм, Rот.при Uз(ном), min 12 мОм, Rот.при Uз(ном), max 20.5 мОм, диап. Uз мин. 1.8 В, диап. Uз макс. 4.5 В, Uз макс. 10 В, Qз 11.05 нКл, Р=1.5 Вт, Сз=888пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 8,26 ₽
YJG80G06B Под заказ
YangJie MOQ 1

YJG80G06B

Корпус PDFN8L5X6, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 80 А, Rот.(мин) 3 мОм, Rот.при Uз(ном), min 3 мОм, Rот.при Uз(ном), max 3.9 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 66 нКл, Р=96 Вт, Сз=4 000пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 78,79 ₽
YJQ10N02A Под заказ
YangJie MOQ 1

YJQ10N02A

Корпус DFN2020MD6, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 20 В, Iс ном. при 25°C 13 А, Rот.(мин) 7.8 мОм, Rот.при Uз(ном), min 7.8 мОм, Rот.при Uз(ном), max 12 мОм, диап. Uз мин. 1.8 В, диап. Uз макс. 4.5 В, Uз макс. 10 В, Qз 11.05 нКл, Р=2.2 Вт, Сз=888пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 14,66 ₽
YJS18N03A Под заказ
YangJie MOQ 1

YJS18N03A

Корпус SOIC8, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 30 В, Iс ном. при 25°C 18 А, Rот.(мин) 4.5 мОм, Rот.при Uз(ном), min 4.5 мОм, Rот.при Uз(ном), max 6.6 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 46.3 нКл, Р=3 Вт, Сз=2 191пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 17,24 ₽
YJQ23GP06A Под заказ
YangJie MOQ 1

YJQ23GP06A

Транзистор MOSFET Р-кан., Uс-и макс. -60 В, Iс ном. при 25°C -22.5 А, Rот.(мин) 35 мОм, Rот.при Uз(ном), min 35 мОм, Rот.при Uз(ном), max 45 мОм, диап. Uз мин. -4.5 В, диап. Uз макс. -10 В, Uз макс. 20 В, Qз 18.7 нКл, Р=43 Вт, Сз=1 100пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 22,91 ₽
YJS2305A Под заказ
YangJie MOQ 1

YJS2305A

Транзистор MOSFET Р-кан., Uс-и макс. -20 В, Iс ном. при 25°C -5.4 А, Rот.(мин) 27 мОм, Rот.при Uз(ном), min 27 мОм, Rот.при Uз(ном), max 48 мОм, диап. Uз мин. -1.8 В, диап. Uз макс. -4.5 В, Uз макс. 10 В, Qз 10.98 нКл, Р=1.2 Вт, Сз=1 010пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 11,95 ₽
YJG130G04A Под заказ
YangJie MOQ 1

YJG130G04A

Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 40 В, Iс ном. при 25°C 130 А, Rот.(мин) 1.45 мОм, Rот.при Uз(ном), min 1.45 мОм, Rот.при Uз(ном), max 1.9 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 132 нКл, Р=115 Вт, 0.003ohm, Сз=7 100пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 89,23 ₽
YJS4447B Под заказ
YangJie MOQ 1

YJS4447B

Корпус SOIC8, Транзистор MOSFET Р-кан., Uс-и макс. -30 В, Iс ном. при 25°C -18 А, Rот.(мин) 5 мОм, Rот.при Uз(ном), min 5 мОм, Rот.при Uз(ном), max 6.9 мОм, диап. Uз мин. -4.5 В, диап. Uз макс. -10 В, Uз макс. 25 В, Qз 111.7 нКл, Р=3.4 Вт, Сз=6 464пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 57,76 ₽
Под заказ
YangJie MOQ 1

YJQ3415A

Транзистор MOSFET Р-кан., Uс-и макс. -20 В, Iс ном. при 25°C -6.2 А, Rот.(мин) 29 мОм, Rот.при Uз(ном), min 29 мОм, Rот.при Uз(ном), max 55 мОм, диап. Uз мин. -1.8 В, диап. Uз макс. -4.5 В, Uз макс. 12 В, Qз 10.98 нКл, Р=2.2 Вт, Сз=1 010пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 9,09 ₽
YJG100N04A Под заказ
YangJie MOQ 1

YJG100N04A

Корпус PDFN568, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 40 В, Iс ном. при 25°C 100 А, Rот.(мин) 2.8 мОм, Rот.при Uз(ном), min 2.8 мОм, Rот.при Uз(ном), max 4 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 102 нКл, Р=83 Вт, Сз=4 645пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 37,16 ₽
YJG150N03A Под заказ
YangJie MOQ 1

YJG150N03A

Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 30 В, Iс ном. при 25°C 150 А, Rот.(мин) 1.58 мОм, Rот.при Uз(ном), min 1.58 мОм, Rот.при Uз(ном), max 2.6 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 92.7 нКл, Р=69 Вт, Сз=4 498пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 38,68 ₽
YJQ3622A Под заказ
YangJie MOQ 1

YJQ3622A

Транзистор MOSFET 2N-канальный, Uс-и макс. 30 В, Iс ном. при 25°C 30 А, Rот.(мин) 7.5 мОм, Rот.при Uз(ном), min 7.5 мОм, Rот.при Uз(ном), max 11.5 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 23.6 нКл, Р=21 Вт, Сз=1 015пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 24,29 ₽
YJD18GP10AQ Под заказ
YangJie MOQ 1

YJD18GP10AQ

Транзистор MOSFET Р-кан., Uс-и макс. -100 В, Iс ном. при 25°C -18 А, Rот.(мин) 83 мОм, Rот.при Uз(ном), min 83 мОм, Rот.при Uз(ном), max 95 мОм, диап. Uз мин. -4.5 В, диап. Uз макс. -10 В, Uз макс. 20 В, Qз 20.1 нКл, Р=72 Вт, Сз=1 051пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 43,33 ₽
YJD50N03A Под заказ
YangJie MOQ 1

YJD50N03A

Корпус TO252, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 30 В, Iс ном. при 25°C 50 А, Rот.(мин) 5.4 мОм, Rот.при Uз(ном), min 5.4 мОм, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 23.6 нКл, Р=28 Вт, 50A I(D), 30V, 0.011ohm, Сз=1 015пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 24,79 ₽