Получить коммерческое предложение
Проверим наличие
перед счётом

Категория

Биполярные транзисторы

Найдено 4 089 товаров

Все категории

Подкатегории

5
Все доступные товары
BC857CT Под заказ
YangJie MOQ 1

BC857CT

Корпус SOT523, Транзистор биполярный PNP, Р=150 мВт, Uкэ.макс. -45 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии -0.65 В, Ток коллектора -0.1 А, Граничная частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 420, Коэффициент усиления по току, max 800

Одиночные биполярные транзисторы
Цена с НДС 8,03 ₽
UMH9N Под заказ
YangJie MOQ 1

UMH9N

Корпус SOT363, Транзистор биполярный NPN/NPN, Р=150 мВт, Uкэ.макс. 50 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 68, Встроенное сопротивление в базовой цепи 10 кОм, Встроенное сопротивление в цепи БЭ 47 кОм

Сборки цифровых транзисторов
Цена с НДС 4,29 ₽
DTC143XCA Под заказ
YangJie MOQ 1

DTC143XCA

Корпус SOT23, Транзистор биполярный NPN, Р=200 мВт, Uкэ.макс. 50 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 30, Встроенное Rб 4.7 кОм, Встроенное Rбэ 9.87 кОм, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

Одиночные цифровые транзисторы
Цена с НДС 6,06 ₽
DTC123JUA Под заказ
YangJie MOQ 1

DTC123JUA

Корпус SOT323, Транзистор биполярный NPN, Р=200 мВт, Uкэ.макс. 50 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 80, Встроенное сопротивление в базовой цепи 2.2 кОм, Встроенное сопротивление в цепи БЭ 46.2 кОм

Одиночные цифровые транзисторы
Цена с НДС 3,32 ₽
DTC143XUA Под заказ
YangJie MOQ 1

DTC143XUA

Корпус SOT323, Транзистор биполярный NPN, Р=200 мВт, Uкэ.макс. 50 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 30, Встроенное сопротивление в базовой цепи 4.7 кОм, Встроенное сопротивление в цепи БЭ 9.87 кОм

Одиночные цифровые транзисторы
Цена с НДС 4,49 ₽
DTC143ZCA Под заказ
YangJie MOQ 1

DTC143ZCA

Корпус SOT23, Транзистор биполярный NPN, Р=200 мВт, Uкэ.макс. 50 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 80, Встроенное Rб 4.7 кОм, Встроенное Rбэ 47 кОм, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

Одиночные цифровые транзисторы
Цена с НДС 5,20 ₽