2SA968
Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 1.5 А, 25 Вт
Одиночные биполярные транзисторыКатегория
Найдено 4 089 товаров
Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 1.5 А, 25 Вт
Одиночные биполярные транзисторыБиполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.1 А, 10 Вт
Одиночные биполярные транзисторы
Под заказ
Trans GP BJT PNP 200V 2A 3000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Одиночные биполярные транзисторы
Под заказ
Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 3 А
Одиночные биполярные транзисторы
Под заказ
NPN Bipolar Transistor 50 V, 7 A, Low VCE(sat).
Одиночные биполярные транзисторы
Под заказ
Под заказ
Под заказ
Под заказ
Под заказ
Транзистор биполярный - BJT LOW VCE(SAT) NPN SMT
Одиночные биполярные транзисторыБиполярный транзистор, PNP, 30 В, 5 А
Одиночные биполярные транзисторыБиполярный транзистор, PNP, 80 В, 1.0 А, 1.3 Вт
Одиночные биполярные транзисторы
Под заказ
Под заказ
Корпус SOT523, Транзистор биполярный PNP, Р=150 мВт, Uкэ.макс. -45 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии -0.65 В, Ток коллектора -0.1 А, Граничная частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 420, Коэффициент усиления по току, max 800
Одиночные биполярные транзисторы
Под заказ
Под заказ
Под заказ
Корпус SOT363, Транзистор биполярный NPN/NPN, Р=150 мВт, Uкэ.макс. 50 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 68, Встроенное сопротивление в базовой цепи 10 кОм, Встроенное сопротивление в цепи БЭ 47 кОм
Сборки цифровых транзисторов
Под заказ
Корпус SOT23, Транзистор биполярный NPN, Р=200 мВт, Uкэ.макс. 50 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 30, Встроенное Rб 4.7 кОм, Встроенное Rбэ 9.87 кОм, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Одиночные цифровые транзисторы
Под заказ
Корпус SOT323, Транзистор биполярный NPN, Р=200 мВт, Uкэ.макс. 50 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 80, Встроенное сопротивление в базовой цепи 2.2 кОм, Встроенное сопротивление в цепи БЭ 46.2 кОм
Одиночные цифровые транзисторы
Под заказ
Под заказ
Корпус SOT323, Транзистор биполярный NPN, Р=200 мВт, Uкэ.макс. 50 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 30, Встроенное сопротивление в базовой цепи 4.7 кОм, Встроенное сопротивление в цепи БЭ 9.87 кОм
Одиночные цифровые транзисторы
Под заказ
Под заказ
Корпус SOT23, Транзистор биполярный NPN, Р=200 мВт, Uкэ.макс. 50 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 80, Встроенное Rб 4.7 кОм, Встроенное Rбэ 47 кОм, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Одиночные цифровые транзисторыБиполярный транзистор: NPN; BRT; 50В; 0,1А; 200мВт; SOT23; R1: 10кОм
Одиночные цифровые транзисторы