Подборка каталога
Электронные компоненты в корпусе SOT-23
Найдено 1 384 товара
Под заказ
Под заказ
Под заказ
YJL3401AQ
Транзистор MOSFET Р-кан., Uс-и макс. -30 В, Iс ном. при 25°C -4.4 А, Rот.(мин) 45.5 мОм, Rот.при Uз(ном), min 45.5 мОм, Rот.при Uз(ном), max 64 мОм, диап. Uз мин. -2.5 В, диап. Uз макс. -10 В, Uз макс. 12 В, Qз 18 нКл, Р=-1.2 Вт, Сз=1 040пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Под заказ
YJL3407AQ
Транзистор MOSFET Р-кан., Uс-и макс. -30 В, Iс ном. при 25°C -4.1 А, Rот.(мин) 36 мОм, Rот.при Uз(ном), min 36 мОм, Rот.при Uз(ном), max 52 мОм, диап. Uз мин. -4.5 В, диап. Uз макс. -10 В, Uз макс. 20 В, Qз 11.65 нКл, Р=1.2 Вт, Сз=572пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
2N7002KCQ
Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 60 В, Iс ном. при 25°C 300 мА, Rот.(мин) 1.9 Ом, Rот.при Uз(ном), min 1.9 Ом, Rот.при Uз(ном), max 2 Ом, диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 1.65 нКл, Р=300 мВт, Сз=27пФ
Одиночные MOSFET транзисторы
Под заказ
Под заказ
MMBT2222AQ
Транзистор биполярный NPN, Р=300 мВт, Uкэ.макс. 40 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 300 мВ, Ток коллектора 600 мА, Граничная частота 300 МГц, Коэффициент усиления по току, min 100, Коэффициент усиления по току, max 300
Одиночные биполярные транзисторы
Под заказ
MMBT5551Q
Транзистор биполярный NPN, Р=300 мВт, Uкэ.макс. 160 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 200 мВ, Ток коллектора 600 мА, Граничная частота 300 МГц, Коэффициент усиления по току, min 100, Коэффициент усиления по току, max 300
Одиночные биполярные транзисторы
Под заказ
Под заказ
Под заказ
Под заказ
Под заказ
Под заказ
Под заказ
Под заказ