Под заказ
GBL210
Корпус GBL, Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 1 кВ, Uпрям. 1.05 В, Iпрям. (средн) 2 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 2A, 1000V V(RRM), Рабочая температура -55 °C...+150 °C
Выпрямительные мостыПодборка каталога
Найдено 1 187 товаров
8 основных · ещё 61 в полном списке
Под заказ
Корпус GBL, Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 1 кВ, Uпрям. 1.05 В, Iпрям. (средн) 2 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 2A, 1000V V(RRM), Рабочая температура -55 °C...+150 °C
Выпрямительные мосты
Под заказ
Корпус SOT23, Напряжение стабилизации 22 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 55 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 22V V(Z), 5.67%, 0.35W, Silicon, Unidirectional
Одиночные стабилитроны
Под заказ
Под заказ
Корпус SOD523, Напряжение стабилизации 13 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 30 Ом
Одиночные стабилитроны
Под заказ
Под заказ
Корпус SOD123, Напряжение стабилизации 15 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 30 Ом
Одиночные стабилитроны
Под заказ
Под заказ
Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 7.5 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 15 Ом
Одиночные стабилитроны
Под заказ
Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 22 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 55 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 22V V(Z), 2%, 0.2W, Silicon, Unidirectional
Одиночные стабилитроны
Под заказ
Корпус SOD123, Напряжение стабилизации 10 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 15 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 10V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional
Одиночные стабилитроны
Под заказ
Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 800 В, Uпрям. 1.1 В, Iпрям. (средн) 50 А, Примечание Bridge Rectifier, 50A, 800V,Case BR-W, Silicon, Рабочая температура -55 °C...+150 °C
Выпрямительные мосты
Под заказ
Под заказ
Корпус SOD323, Диод одиночный, Uобр.макс. 75 В, Iпрям. (сред.) 250 мА, Uпрям. 720 мВ, Особенности High Speed Switching, Iобр. 200 нА, Время восстановления Диодов 4 нс, Емкость перехода 4пФ, Рабочая температура -55 °C...+150 °C
Одиночные диоды
Под заказ
Корпус DO214AC, Диод одиночный, Uобр.макс. 40 В, Iпрям. (сред.) 3 А, Uпрям. 450 мВ, Особенности Шоттки, Iобр. 500 мкА, Емкость перехода 250пФ, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Монтаж на плату, SMT
Одиночные диоды Шоттки
Под заказ
Диод одиночный, Uобр.макс. 200 В, Iпрям. (сред.) 3 А, Uпрям. 900 мВ, Особенности Шоттки, Iобр. 100 мкА, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Монтаж на плату, SMT
Одиночные диоды Шоттки
Под заказ
Под заказ
Корпус DO214AC, Напряжение стабилизации 82 В, Ток стабилизации (макс) 3 мА, Импеданс (макс) 200 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 82V V(Z), 1W
Одиночные стабилитроны
Под заказ
Диод одиночный, Uобр.макс. 200 В, Iпрям. (сред.) 2 А, Uпрям. 820 мВ, Особенности Schottky, Iобр. 5 мкА, Емкость перехода 40пФ, Рабочая температура -55 °C, Рабочая температура 175 °C, Монтаж на плату
Одиночные диоды Шоттки
Под заказ
Диод одиночный, Uобр.макс. 150 В, Iпрям. (сред.) 1 А, Uпрям. 785 мВ, Особенности Schottky, Iобр. 1 мкА, Емкость перехода 30пФ, Рабочая температура -55 °C, Рабочая температура 175 °C, Монтаж на плату
Одиночные диоды Шоттки
Под заказ
Диод одиночный, Uобр.макс. 100 В, Iпрям. (сред.) 1 А, Uпрям. 850 мВ, Особенности Schottky, Iобр. 100 мкА, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Монтаж на плату, SMT
Одиночные диоды Шоттки
Под заказ
Под заказ
Корпус TO263, Сборка диодная, общий катод, Uобр.макс. 600 В, Iпрям. (сред.) 16 А, Uпрям. 1.45 В, Особенности Ultra Fast, Iобр. 5 мкА, Время восстановления Диодов 25 нс, Емкость перехода 40пФ, Рабочая температура -55 °C...+175 °C, Монтаж на плату, SMT
Диодные сборки
Под заказ
Корпус TO263, Сборка диодная, общий катод, Uобр.макс. 600 В, Iпрям. (сред.) 10 А, Uпрям. 1.45 В, Особенности Ultra Fast, Iобр. 5 мкА, Время восстановления Диодов 25 нс, Емкость перехода 20пФ, Рабочая температура -55 °C...+175 °C, Монтаж на плату, SMT
Диодные сборки
Под заказ