Под заказ
Категория
Диоды и тиристоры
Найдено 12 757 товаров
Подборки диодов и тиристоров
Свернуть подборки 70
По корпусу
По производителю
По монтажу
8 основных · ещё 62 в полном списке
Подкатегории
9Разделы каталога
33
Под заказ
Под заказ
BZT52B36S
Корпус SOD323, Напряжение стабилизации 36 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 90 Ом, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Примечания Zener Diode, 36V V(Z), 2%, 0.2W, Silicon, Unidirectional
Одиночные стабилитроны
Под заказ
BZX584B18V
Корпус SOD523, Напряжение стабилизации 18 В, Ток стабилизации (макс) 5 мА, Импеданс (макс) 45 Ом
Одиночные стабилитроны
Под заказ
MBR20100FCTS
Корпус ITO220AB, Сборка диодная, общий катод, Uобр.макс. 100 В, Iпрям. (сред.) 20 А, Uпрям. 850 мВ, Iобр. 100 мкА, Емкость перехода 300пФ, Рабочая температура -55 °C, Рабочая температура 175 °C, Монтаж на плату, THT
Сборки диодов Шоттки
Под заказ
Под заказ
GS3JB
Корпус DO214AA, Диод одиночный, Uобр.макс. 600 В, Iпрям. (сред.) 3 А, Uпрям. 1.15 В, Iобр. 5 мкА, Емкость перехода 25пФ, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Монтаж на плату, SMT
Одиночные диоды
Под заказ
BAW156
Корпус SOT23, Сборка диодная, общий катод, Uобр.макс. 75 В, Iпрям. (сред.) 200 мА, Uпрям. 1.25 В, Iобр. 5 нА, Время восстановления Диодов 3 мкс, Монтаж на плату, SMT
Диодные сборки
Под заказ
BAS16Q
Корпус SOT23, Диод одиночный, Uобр.макс. 100 В, Iпрям. (сред.) 150 мА, Uпрям. 1.25 В, Особенности быстродействующий, Iобр. 1 мкА, Время восстановления Диодов 4 нс, Емкость перехода 4пФ, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Монтаж на плату
Одиночные диоды
Под заказ
BAV70Q
Корпус SOT23, Сборка диодная, Uобр.макс. 100 В, Iпрям. (сред.) 200 мА, Uпрям. 1.25 В, Особенности быстродействующий, Iобр. 1 мкА, Время восстановления Диодов 4 нс, Емкость перехода 4пФ, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Монтаж на плату
Диодные сборки
Под заказ
Под заказ
Под заказ
BAS16WSQ
Диод одиночный, Uобр.макс. 100 В, Iпрям. (сред.) 200 мА, Uпрям. 1.25 В, Особенности быстродействующий, Iобр. 1 мкА, Время восстановления Диодов 6 нс, Емкость перехода 4пФ, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Монтаж на плату
Одиночные диоды
Под заказ
BAV99WTQ
Корпус SOT323, Сборка диодная, Uобр.макс. 100 В, Iпрям. (сред.) 150 мА, Uпрям. 1.25 В, Особенности быстродействующий, Iобр. 1 мкА, Время восстановления Диодов 4 нс, Емкость перехода 2пФ, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Монтаж на плату
Диодные сборки
Под заказ
BAV21WS
Корпус SOD323, Диод одиночный, Uобр.макс. 200 В, Iпрям. (сред.) 200 мА, Uпрям. 1 В, Iобр. 100 нА, Время восстановления Диодов 50 нс, Рабочая температура -65 °C, Рабочая температура 150 °C, Монтаж на плату, SMT
Диодные сборки
Под заказ
GBJ2008
Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 800 В, Uпрям. 1.1 В, Iпрям. (средн) 20 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 20A, 800V V(RRM), Рабочая температура -55 °C...+150 °C
Выпрямительные мосты
Под заказ
KBJ1508
Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 800 В, Uпрям. 1.05 В, Iпрям. (средн) 15 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 10A, 800V V(RRM), Рабочая температура -55 °C...+150 °C
Выпрямительные мосты
Под заказ
GBJ806
Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 600 В, Uпрям. 1.1 В, Iпрям. (средн) 8 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 8A, 600V V(RRM), Рабочая температура -55 °C...+150 °C
Выпрямительные мосты
Под заказ
GBJ1506A
Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 600 В, Uпрям. 1 В, Iпрям. (средн) 15 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3.5A, 600V V(RRM), Silicon, Рабочая температура -55 °C...+150 °C
Выпрямительные мосты
Под заказ
GBL408
Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 800 В, Uпрям. 1.05 В, Iпрям. (средн) 4 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 4A, 800V V(RRM), Silicon, Рабочая температура -55 °C...+150 °C
Выпрямительные мосты
Под заказ
GBJL2506
Uобр.макс. 600 В, Uпрям. 920 мВ, Iпрям. (средн) 25 А, Рабочая температура -55 °C...+150 °C
Выпрямительные мосты
Под заказ
KBU2510
Корпус KBU, Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 1 кВ, Uпрям. 1.1 В, Iпрям. (средн) 25 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 25A, 1000V V(RRM), Рабочая температура -55 °C, Рабочая температура 125 °C
Выпрямительные мосты
Под заказ
DBL105
Корпус DBL, Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 600 В, Uпрям. 1.05 В, Iпрям. (средн) 1 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 1A, 600V V(RRM), Silicon, Рабочая температура -55 °C...+150 °C
Выпрямительные мосты
Под заказ
GBJ808
Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 800 В, Uпрям. 1.1 В, Iпрям. (средн) 8 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 8A, 800V V(RRM), Рабочая температура -55 °C...+150 °C
Выпрямительные мосты