Получить коммерческое предложение
Проверим наличие
перед счётом

Категория

Диоды Шоттки

Найдено 2 946 товаров

Все категории

Подборки диодов и тиристоров

Показать все подборки Свернуть подборки 70

8 основных · ещё 62 в полном списке

Подкатегории

3
Все доступные товары
FSV2050V Под заказ
onsemi MOQ 1

FSV2050V

FSV2050V — силовой выпрямительный диод Шоттки onsemi на 20 А и 50 В в низкопрофильном трёхвыводном корпусе TO-277-3L. Максимальный неповторяющийся импульсный ток полусинусоидальной формы составляет 320 А, диапазон температуры перехода и хранения — −55…+150 °C. Низкое прямое падение напряжения и малое тепловое сопротивление ориентируют компонент на выходные каскады импульсных источников и DC/DC-преобразователей. Высота корпуса около 1,1 мм уменьшает профиль узла и упрощает отвод тепла через плату. Компонент соответствует требованиям RoHS, рассчитан на процесс оплавления по J-STD-020 с температурой вывода до 260 °C и поставляется в ленте на катушке.

Одиночные диоды Шоттки
Цена с НДС по запросу
S110FA Под заказ
onsemi MOQ 1

S110FA

S110FA — выпрямительный диод Шоттки onsemi/Fairchild с номинальным прямым током 1 А и повторяющимся обратным напряжением 100 В. Прибор серии S1xFA рассчитан на снижение потерь в низковольтных импульсных источниках, DC/DC-преобразователях и цепях защиты от обратной полярности. Переход с защитным кольцом повышает устойчивость к перенапряжениям, а компактное плоское исполнение подходит для автоматического поверхностного монтажа. Точный вариант S110FA имеет корпус SOD-123FA и маркировку 10L, соответствует требованиям RoHS и поставляется в ленте на катушке. Перед применением следует учитывать предельные характеристики конкретной схемы и тепловой режим печатной платы.

Одиночные диоды Шоттки
Цена с НДС по запросу
STPSC20H12G2-TR Под заказ

STPSC20H12G2-TR

STPSC20H12G2-TR — силовой диод Шоттки STMicroelectronics на карбиде кремния с повторяющимся обратным напряжением 1200 В. Средний прямой ток составляет 20 А при температуре корпуса +155 °C, действующее значение тока — 38 А, импульсный ток при полусинусоиде 10 мс достигает 140 А. При 20 А прямое напряжение не превышает 1,50 В при +25 °C и 2,25 В при +150 °C. SiC-структура не имеет заряда обратного восстановления и рассчитана на температуру перехода до +175 °C. Исполнение D2PAK HV обеспечивает минимальный путь утечки между анодом и катодом 5,38 мм; суффикс TR означает поставку в ленте на катушке.

Диоды на карбиде кремния
Цена с НДС по запросу