YangJie: электронные компоненты

GBU806A

Корпус GBU, Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 600 В, Uпрям. 1 В, Iпрям. (средн) 8 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3.2A, 600V V(RRM), Silicon, Рабочая температура -55 °C...+150 °C

GBU608A

Корпус GBU, Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 800 В, Uпрям. 1 В, Iпрям. (средн) 6 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2.8A, 800V V(RRM), Silicon, Рабочая температура -55 °C...+150 °C

GBU408A

Корпус GBU, Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 800 В, Uпрям. 1 В, Iпрям. (средн) 4 А, Примечание Bridge Rectifier, 1 Phase, 4A, 800V, Рабочая температура -55 °C...+150 °C

GBU3008

Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 800 В, Uпрям. 1 В, Iпрям. (средн) 30 А, Рабочая температура -55 °C...+150 °C

GBU1006A

Корпус GBU, Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 600 В, Uпрям. 1 В, Iпрям. (средн) 10 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3.6A, 600V V(RRM), Silicon, Рабочая температура -55 °C...+150 °C

ESDSLC3V3LBA

Корпус DFN1006D2, Iимп.макс. 7 А, Uраб. 3.3 В, Uогр.(диап.), min 7 В, Iут.при Uраб. 0.05 мкА, Рпик=68 Вт, Тип супрессора двунаправленный, Uогр.(ном.) 10 В, Паразитная емкость перехода 0.65пФ, Uимп.макс.8.5 В

ESDSLC3V3D3BA

ESD5V0D3BQ

ESD36VD3B

Iимп.макс. 5 А, Uраб. 36 В, Uогр.(диап.), min 38 В, Uогр.(диап.), max 47 В, Примечание Transient Voltage Suppressor, Iут.при Uраб. 0.5 мкА, Рпик=380 Вт, Тип супрессора двунаправленный, Uогр.(ном.) 42.5 В, Паразитная емкость перехода 13пФ, Uимп.макс.76 В

ESD12VE

BR3506W

Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 600 В, Uпрям. 1.1 В, Iпрям. (средн) 35 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 35A, 600V V(RRM), Case BR-W, Silicon, Рабочая температура -55 °C...+150 °C

MD75S16M4

Трехфазный диодный мост, Urmax 1,6кВ, If 75А, Ifsm 750А, M4

MD200S16M3

SKBPC3514

KBPC1508

Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 800 В, Uпрям. 1.2 В, Iпрям. (средн) 15 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 15A, 800V V(RRM), Silicon, Рабочая температура -55 °C...+150 °C

KBU408

MD75S16M2

Обратное напряжение (повт. имп.) 1.6 кВ, Прямой ток (макс.) 75 A, Прямое напряжение 1.6 В, Динамическое сопротивление 183 мОм

SKBPC2512

Трехфазный диодный мост, Urmax 1,2кВ, If 25А, Ifsm 360А, SKBPC

GBPC2508W

Корпус GBPCW, Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 800 В, Uпрям. 1.1 В, Iпрям. (средн) 25 А, Примечание Rectifier Diode, Рабочая температура -55 °C...+150 °C

KBPC5006

Корпус KBPC, Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 600 В, Uпрям. 1.2 В, Iпрям. (средн) 50 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 50A, 600V V(RRM), Silicon, Рабочая температура -55 °C...+150 °C

KBPC2506

Корпус KBPC, Мост диодный однофазный, Uобр.макс. 600 В, Uпрям. 1.1 В, Iпрям. (средн) 25 А, Примечание Bridge Rectifier Diode, 25A, 600V V(RRM), Silicon, Рабочая температура -55 °C, Рабочая температура 125 °C

GBU1508A

GBP210S

Диодный мост: однофазный, Urmax: 1кВ, If: 2А, Ifsm: 50А, плоские

GBP208S

Однофазный выпрямительный мост, UrмАx 800В, If 2А, Ifsm 50А, GBP