Получить коммерческое предложение
Проверим наличие
перед счётом

Производитель

YangJie: электронные компоненты

Найдено 2 329 товаров

YJG50N03A Под заказ
YangJie MOQ 1

YJG50N03A

Корпус PDFN8L5X6, Транзистор MOSFET N-кан., Uс-и макс. 30 В, Iс ном. при 25°C 50 А, Rот.(мин) 3.9 мОм, Rот.при Uз(ном), min 3.9 мОм,диап. Uз мин. 4.5 В, диап. Uз макс. 10 В, Uз макс. 20 В, Qз 54 нКл, Р=45 Вт, 0.006ohm, Сз=2 504пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 25,62 ₽
YJJ3439KA Под заказ
YangJie MOQ 1

YJJ3439KA

Транзистор MOSFET N-Ркан., Uс-и макс. 20 В, Iс ном. при 25°C 500 мА, Rот.(мин) 180 мОм, Rот.при Uз(ном), min 180 мОм, Rот.при Uз(ном), max 420 мОм, диап. Uз мин. 1.8 В, диап. Uз макс. 4.5 В, Uз макс. 12 В, Qз 1 нКл, Р=300 мВт, Сз=52пФ

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС 9,41 ₽
BAV23CQ Под заказ
YangJie MOQ 1

BAV23CQ

Корпус SOT23, Схема включения Диодов Double, Uобр.макс. 250 В, Iпрям. (сред.) 225 мА, Uпрям. 1 В, Особенности Common anode, Iобр. 100 нА, Время восстановления Диодов 50 нс, Емкость перехода 5пФ, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Монтаж на плату, SMT

Диодные сборки
Цена с НДС 6,21 ₽
1N4448WQ Под заказ
YangJie MOQ 1

1N4448WQ

Диод одиночный, Uобр.макс. 100 В, Iпрям. (сред.) 250 мА, Uпрям. 1 В, Особенности быстродействующий, Iобр. 200 нА, Время восстановления Диодов 4 нс, Емкость перехода 4пФ, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Монтаж на плату

Одиночные диоды
Цена с НДС 4,10 ₽
BAV23SQ Под заказ
YangJie MOQ 1

BAV23SQ

Корпус SOT23, Схема включения Диодов Double, Uобр.макс. 250 В, Iпрям. (сред.) 225 мА, Uпрям. 1 В, Iобр. 100 нА, Время восстановления Диодов 50 нс, Емкость перехода 5пФ, Рабочая температура -55 °C...+150 °C, Монтаж на плату, SMT

Диодные сборки
Цена с НДС 6,40 ₽