Под заказ
Категория
Одиночные биполярные транзисторы — YangJie
Найдено 111 товаров
Разделы каталога
33
Под заказ
Под заказ
Под заказ
Под заказ
2SA1037-Q
Транзистор: PNP; биполярный; 50В; 150мА; 200мВт; SOT23
Одиночные биполярные транзисторы
Под заказ
Под заказ
Под заказ
MMBT2222AQ
Транзистор биполярный NPN, Р=300 мВт, Uкэ.макс. 40 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 300 мВ, Ток коллектора 600 мА, Граничная частота 300 МГц, Коэффициент усиления по току, min 100, Коэффициент усиления по току, max 300
Одиночные биполярные транзисторы
Под заказ
BC817-16W
Корпус SOT323, Транзистор биполярный NPN, Р=200 мВт, Uкэ.макс. 45 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 700 мВ, Ток коллектора 500 мА, Граничная частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 100, Коэффициент усиления по току, max 250
Одиночные биполярные транзисторы
Под заказ
Под заказ
MMBT5401Q
Корпус SOT23, Транзистор биполярный PNP, Р=300 мВт, Uкэ.макс. -160 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии -0.5 В, Ток коллектора -0.6 А, Граничная частота 300 МГц, Коэффициент усиления по току, min 100, Коэффициент усиления по току, max 300
Одиночные биполярные транзисторы
Под заказ
Под заказ
MMBT5551Q
Транзистор биполярный NPN, Р=300 мВт, Uкэ.макс. 160 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 200 мВ, Ток коллектора 600 мА, Граничная частота 300 МГц, Коэффициент усиления по току, min 100, Коэффициент усиления по току, max 300
Одиночные биполярные транзисторы
Под заказ
2SC1623-L6
Корпус SOT23, Транзистор биполярный NPN, Р=200 мВт, Uкэ.макс. 50 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 300 мВ, Ток коллектора 100 мА, Граничная частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 200, Коэффициент усиления по току, max 400
Одиночные биполярные транзисторы
Под заказ
MMBTA56Q
Корпус SOT23, Транзистор биполярный PNP, Р=300 мВт, Напряжение КЭ максимальное -80 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии -0.25 В, Ток коллектора -0.5 А, Граничная рабочая частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 100
Одиночные биполярные транзисторы
Под заказ
BC857CW
Корпус SOT323, Транзистор биполярный PNP, Р=200 мВт, Uкэ.макс. -45 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии -0.65 В, Ток коллектора -0.1 А, Граничная частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 420, Коэффициент усиления по току, max 800
Одиночные биполярные транзисторы
Под заказ
Под заказ
BC847BW
Корпус SOT323, Транзистор биполярный NPN, Р=200 мВт, Uкэ.макс. 45 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 500 мВ, Ток коллектора 100 мА, Граничная частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 200, Коэффициент усиления по току, max 450
Одиночные биполярные транзисторыBC857C
Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А, 0.25 Вт
Одиночные биполярные транзисторы
Под заказ
BC856BW
Корпус SOT323, Транзистор биполярный PNP, Р=200 мВт, Uкэ.макс. -65 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии -0.65 В, Ток коллектора -0.1 А, Граничная частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 220, Коэффициент усиления по току, max 475
Одиночные биполярные транзисторыMMBTA06
Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 0.5 А, 0.3Вт
Одиночные биполярные транзисторы
Под заказ
BC858B
Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 0.1 А
Одиночные биполярные транзисторы
Под заказ