ChipBaza
Получить коммерческое предложение
Проверим наличие
перед счётом

Производитель

STMicroelectronics: электронные компоненты

Найдено 9 786 товаров

Производитель: STMicroelectronics
STM8L152M8T6TR Под заказ
STMicroelectronics MOQ 1

STM8L152M8T6TR

STM8L152M8T6TR — 8-разрядный малопотребляющий микроконтроллер STMicroelectronics STM8L с расширенным ядром STM8. Точный вариант M8 содержит 64 Кбайт Flash и 2 Кбайт EEPROM; доступны SRAM, RTC, контроллер LCD, ADC, DAC, компараторы, таймеры, SPI, I²C и USART. Питание 1,8–3,6 В, предусмотрены несколько режимов сна с током от долей микроампера, DMA и аппаратные средства контроля тактирования и питания. Исполнение M8T6 имеет корпус LQFP-80, температурный диапазон −40…+85 °C; суффикс TR обозначает поставку на ленте в катушке.

Микроконтроллеры STM
Цена с НДС по запросу
STP45N40DM2AG Под заказ
STMicroelectronics MOQ 1

STP45N40DM2AG

STP45N40DM2AG — автомобильный N-канальный MOSFET STMicroelectronics серии MDmesh DM2 с напряжением 400 В. Максимальный ток стока 38 А, типичное сопротивление открытого канала 63 мОм, максимальное — 72 мОм; допустимая рассеиваемая мощность 250 Вт. Быстровосстанавливающийся встроенный диод и малые заряд затвора и входная ёмкость предназначены для высокоэффективной коммутации и ZVS-фазосдвигающих преобразователей. Транзистор проходит лавинный контроль и квалифицирован по AEC-Q101. Точный вариант STP45N40DM2AG выполнен в TO-220 и поставляется в тубе.

Одиночные MOSFET транзисторы
Цена с НДС по запросу
STPSC20H12G2-TR Под заказ
STMicroelectronics MOQ 1

STPSC20H12G2-TR

STPSC20H12G2-TR — силовой диод Шоттки STMicroelectronics на карбиде кремния с повторяющимся обратным напряжением 1200 В. Средний прямой ток составляет 20 А при температуре корпуса +155 °C, действующее значение тока — 38 А, импульсный ток при полусинусоиде 10 мс достигает 140 А. При 20 А прямое напряжение не превышает 1,50 В при +25 °C и 2,25 В при +150 °C. SiC-структура не имеет заряда обратного восстановления и рассчитана на температуру перехода до +175 °C. Исполнение D2PAK HV обеспечивает минимальный путь утечки между анодом и катодом 5,38 мм; суффикс TR означает поставку в ленте на катушке.

Диоды на карбиде кремния
Цена с НДС по запросу
TSB611ILT Под заказ
STMicroelectronics MOQ 1

TSB611ILT

TSB611ILT — одиночный малопотребляющий операционный усилитель STMicroelectronics TSB611 с выходом rail-to-rail. Диапазон питания 2,7–36 В, входной диапазон синфазного сигнала включает землю и простирается до VCC−1 В. Максимальное напряжение смещения — 1 мВ при +25 °C, типовая полоса единичного усиления 560 кГц; потребление не превышает 125 мкА при питании 36 В. Усилитель устойчив при единичном усилении, выдерживает ESD 4 кВ HBM и работает при −40…+125 °C. Точный код ILT выполнен в SOT23-5 с маркировкой K191 и поставляется в ленте на катушке.

Операционные усилители
Цена с НДС по запросу