ChipBaza
Получить коммерческое предложение
Проверим наличие
перед счётом

Категория

Одиночные IGBT транзисторы — LITTELFUSE

Найдено 104 товара

Все категории
Производитель: LITTELFUSE
IXBH12N300 Под заказ
LITTELFUSE MOQ 1

IXBH12N300

IXBH12N300 — высоковольтный BIMOSFET Littelfuse/IXYS на 3000 В, объединяющий МОП-управление и биполярную силовую структуру; параллельно силовой цепи встроен обратный диод. Непрерывный ток коллектора составляет 12 А при температуре корпуса +110 °C и до 30 А при +25 °C, импульсный ток — 100 А. При токе 12 А и VGE 15 В напряжение насыщения типично равно 2,8 В и не превышает 3,2 В. Допустимое напряжение затвор–эмиттер составляет ±20 В постоянно и ±30 В кратковременно, рассеиваемая мощность — 160 Вт, диапазон перехода −55…+150 °C. Компонент выполнен в TO-247; документация помечает модель как не рекомендуемую для новых разработок.

Одиночные IGBT транзисторы
Цена с НДС по запросу